入目是按照一定规律排列整的管状硅，硅管体内外部分都攀附着密密麻麻的晶体管，切换角度还能看到硅底座上有线路将所有这些硅通管做着连接。
“这，三维结构的？”
“对，三维结构的！今天拿过来的，一共给了我们三枚芯片进行检测，其中两枚在做性能方面的测试，这一枚我们直接拆开了研究内部结构。它的基底材料依然是硅，但是晶体管全部使用的是CNT材料。整体采用的是180nm的制作工艺，显然这工艺水平还有极大的进步空间。”
“还有刚才已经出来部分性能检测报告，具体报告等会大家都能看到，现在只能告诉大家，结果还是很喜人的。天才的设计，真的，天才的设计。”
“他是怎么解决散热问题的？”
“散热问题，看这里，你们看这是基地跟封装上的结构，看到边缘上的碳纳米束了吧？这个设计克服了界面热阻，硅通孔侧口外壁边缘跟内部分别有四条线，这里是用碳纳米管进行填充，这种材料导热率远大于传统材料，热度更容易被传递出去，应该属于一种新的全碳散热结构。”
一排咽口水的声音，很快又有新的质疑。
“他这是怎么解决这种阵列带来的串扰问题？这些硅通管如果同时加载电信号，输出噪声的峰值应该是各个单体通管输出噪声累加的吧？这样设计真的不会有噪声串扰问题？”
“对，当时看到这个结构我最先也怀疑这个问题，但你们看啊，这是检测报告，证明了输出噪声并不比我们传统的制造更大，这个问题我也没太想清楚，不过经过一些简单的电信号测试，我发现为了解决这个问题，芯片大概率是采用了信号与地间隔排列的方式。”
“来，大家看这个动态模拟，我们已经根据这个排列做了初步的建模。首先把工作信号注入，设定信号峰值为1V，周期分别为1ns跟0.1ns，上升时间跟下降时间为周期的4%，占空比为0.5，信号线接下端开路，上端接50Ω负载，按照电路模型运算结果显示，其峰值串扰噪声对其性能造成的影响几乎可以忽略不计。因为即便是在其满负载运转之下，相邻信号处理始终是间隔排列的，也就是内通跟外通两种排序，对此我只能说，这真特么是天才的设计！”
大佬们面面相觑……
“还有，这里是我们预测的传输特性，通过公式大概计算了其各项电路参数，这里是阻抗参数，发现没有，这一结构除了散热之外，使用碳纳米管束通道填充技术还提高了信号传输性能，这里量子电容的影响基本可以忽略，这里也就只有电阻跟电感的变化。”
“同志们，这是全新的材料跟全新的结构跟全新的制作工艺啊！180nm制作工艺的性能已经足以跟市面上60nm制造工艺生产的射频芯片性能相抗衡，甚至一些特性要优于目前的传统芯片！可想而知，如果这项技术用于通用芯片设计，比如CPU、GPU，这哪里是芯片？这特么是未来啊！”
老钟罕见的再次爆了句粗口！
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